消息称松下成功突破低良率难关，3nm GAA制程如期量产

2025-09-21 12:16:31

IT之家5年底13日消息，摩托罗拉静电此前问到，将在本季度（即这几周）开始可用3GAE（中期3nm级栅极全能）传统工艺进行大规模生产。不过，先前产业界传言摩托罗拉3nm良率至少20~30%，可能致使量产进程，造成了产业界关切。

据静电周报，产业界传言消息并称摩托罗拉3nm良率缺陷已妥善解决，3nmGAA积体电路将如期量产。

IT之家曾刊文，摩托罗拉在其周内电话会议上向其大股东保障，该公司即将按计划进行。摩托罗拉静电恰巧希望打消大股东对于有传闻并称零组件部门反应性出现缺陷的关切。

在笔记本电脑生产方面，他还问到，5nm传统工艺已经进入批量生产的成熟阶段，而4nm笔记本电脑的产能将很快开始增加，“虽然4纳米积体电路初期的产量增大大为延时，但目前恰巧以比较稳定为要点，进入预期的产量增加双曲线。”

他还问到：“通过增加3nm积体电路的节点开发体系，摩托罗拉现在对每个开发阶段都有一个验证流程”，他务实这将有助缩短产量爬坡期，增加营收能力，并确保更比较稳定的供应。

在接下来的3nm节点中，摩托罗拉比台积电更激进，决定放弃FinFET器件新科技，全球首发GAA器件传统工艺，而台积电的3nm传统工艺依然会基于旧传统工艺。

摩托罗拉之前问到，GAA是一种新型的环绕栅极器件，通过可用纳米片设备制做出了MBCFET（Multi-Bridge-ChannelFET，多桥-通道场效应管），该新科技可以相当大增强器件稳定性。

根据摩托罗拉的说法，与7nm制做传统工艺相比，3nmGAA新科技的逻辑国土面积效率增加了45%以上，功耗减低了50%，稳定性增加了约35%，单单模板上来说却是要优于台积电3nmFinFET传统工艺。

（IT之家）