英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统设计能效

英飞凌高科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC™电子技术，即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化(SiC)显卡用做颇受欢迎的Easy子系统三部，以及采用基于.XT电子元件电子技术的分立式芯片，兼具非常广泛的商品组合。M1H显卡兼具很高的灵活性，适用做必须满足平均值电力供给的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款显卡也是的汽车快充、供电系统系统和其他化学工业领域的理想选择。

CoolSiC电子技术取得的最新进展使得灯丝涡轮二极管售票处相对增大，从而增高了既定显卡km下的导通阻抗。与此同时，随着灯丝运行售票处的扩展，灯丝能很好地耐受与涡轮器和配置相关的二极管平均值，即使在更为高阀门振幅下亦不受任何限制。除了M1H显卡电子技术，还可通过采用不同芯片使不同车型的商品构建更为高压差，为设计工程师备有更为多选择，助力其提升领域性能。

Easy子系统可构建更为高的压差

M1H将被录入到引来青睐的Easy三部中，以进一步最优化Easy 1B和2B子系统。此外，英飞凌还将另一款一款新商品，依靠全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET电子技术和强化Easy 3B子系统。新显卡尺寸的另一款最主要限度地减低了灵活性，适用做广泛的化学工业商品组合。采用M1H显卡，可显著增高子系统的导通阻抗，让电源愈发可靠和高效。

此外，M1H显卡的最高结温为175°C，合乎更为出色的持续性能够，可构建更为高的压差，同时扩展了系统安全工作的区。与其前身M1显卡相对，M1H显卡构建了更为低的内部灯丝阻抗(RG)，这有利于得心应手最优化阀门功能性。M1H显卡依然了其动态功能性。

合乎超低导通阻抗的分立式芯片

除了录入Easy子系统三部均，CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H商品组合还采用了TO247-3和TO247-4分立式芯片，导通阻抗值极低，根据不同的车型分为7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新晶体管的最主要栅源二极管低至-10 V，有所改善了灯丝二极管过冲和下冲，并且构建了良好的抗雪崩弹丸能够和高热耐受能够，可以得心应手用做商品设计。

以前在D2PAK-7L芯片中引入的英飞凌.XT电子元件电子技术，直到现在也可在TO芯片中构建。较之标准电子元件电子技术，其空调系统能够减低了30%以上。这样的空调系统性能提升带来了极大的裨益，可以将输出牵引力减低据统计15%。另外，它还能减低阀门振幅，进一步增加诸如的汽车(EV)充电、供电系统或光伏系统等领域中所需的无源晶体管，从而减低压差并增高系统成本。.XT电子元件电子技术可增高SiC MOSFET结温，而不扭曲系统运行条件，因此大幅度延长了系统的使用寿命，减低了牵引力循环能够。这也是伺服涡轮器等电源的关键要求。

新另一款的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H显卡将进一步释放SiC电子技术的领域实用价值，在全球范围内推动清洁能源的开发依靠，并减低能源效率。